Name: IPP60R520E6XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP60R520E6XKSA1
Availability: InStock
Rating: 5 (194 reviews)

IPP60R520E6XKSA1

Apenas para referência

Nº de peças	IPP60R520E6XKSA1
Fabricante	Infineon Technologies
Descrição	MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220
Ficha técnica	IPP60R520E6XKSA1 Ficha técnica
pacote	TO-220-3
ECAD
Em estoque	2.960 piece(s)
Preço unitário	Request a Quote
Tempo de entrega	A ser confirmado
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Especificações do IPP60R520E6XKSA1

Fabricante	Infineon Technologies
Categoria	Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote	TO-220-3
ECAD
Series	CoolMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	8.1A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 230µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	23.4nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	512pF @ 100V
Vgs (máx.)	±20V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	520 mOhm @ 2.8A, 10V
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PG-TO-220-3
Pacote / caso	TO-220-3

IPP60R520E6XKSA1 folha de dados

IPP60R520E6XKSA1 Packaging

IPP60R520E6XKSA1 FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPP60R520E6XKSA1.

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Infineon Technologies AG

- Bulk (Alt: IPP60R520E6XKSA1)

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D# 2156-IPP60R520E6XKSA1-IT-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-3

1600

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Rochester Electronics LLC

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1856

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Infineon Technologies AG

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