Name: IPP12CN10N G
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP12CN10N-G
Availability: InStock
Rating: 5 (168 reviews)

IPP12CN10N G

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Nº de peças	IPP12CN10N G
Fabricante	Infineon Technologies
Descrição	MOSFET N-CH 100V 67A TO-220
Ficha técnica	IPP12CN10N G Ficha técnica
pacote	TO-220-3
ECAD
Em estoque	5.312 piece(s)
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Tempo de entrega	A ser confirmado
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Especificações do IPP12CN10N G

Fabricante	Infineon Technologies
Categoria	Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote	TO-220-3
ECAD
Series	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	67A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 83µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	65nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4320pF @ 50V
Vgs (máx.)	±20V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.9 mOhm @ 67A, 10V
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PG-TO-220-3
Pacote / caso	TO-220-3

IPP12CN10N G folha de dados

IPP12CN10N G Packaging

IPP12CN10N G FAQ

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5. How is the shipping arranged?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IPP12CN10N G we delivered, we will accept the replacement or return of the IPP12CN10N G only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPP12CN10N G.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 100V 67A TO-220

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Pbf (ship within 1day) - D/C 2010

423

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MOSFET N-CH 100V 67A TO220-3

IPP12CN10NGXKSA1

D# IPP12CN10NGXKSA1-ND

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VBsemi Electronics Co Ltd

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IPP12CN10N G

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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

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IPP12CN10N G

D# NS-IPP12CN10N G

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

8714

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IPP12CN10NG

Infineon Technologies AG

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 67A I(D), 100V, 0.0129OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220AB

338

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Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

516

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