Name: BSC048N025S G
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC048N025S-G
Availability: InStock
Rating: 5 (93 reviews)

BSC048N025S G

Apenas para referência

Nº de peças	BSC048N025S G
Fabricante	Infineon Technologies
Descrição	MOSFET N-CH 25V 89A TDSON-8
Ficha técnica	BSC048N025S G Ficha técnica
pacote	8-PowerTDFN
ECAD
Em estoque	3.488 piece(s)
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Tempo de entrega	A ser confirmado
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Especificações do BSC048N025S G

Fabricante	Infineon Technologies
Categoria	Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote	8-PowerTDFN
ECAD
Series	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	19A (Ta), 89A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 35µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	21nC @ 5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2670pF @ 15V
Vgs (máx.)	±20V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	2.8W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.8 mOhm @ 50A, 10V
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PG-TDSON-8
Pacote / caso	8-PowerTDFN

BSC048N025S G folha de dados

BSC048N025S G Packaging

BSC048N025S G FAQ

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2. How does Heisener guarantee that BSC048N025S G is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the BSC048N025S G price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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