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VQ1001P-E3

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VQ1001P-E3

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Nº de peças VQ1001P-E3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
Ficha técnica

VQ1001P-E3 Ficha técnica

pacote -
ECAD
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Especificações do VQ1001P-E3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Arranjos
pacote-
ECAD
Series-
Tipo FET4 N-Channel
Recurso FETLogic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C830mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.75 Ohm @ 200mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds110pF @ 15V
Potência - Max2W
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote / caso-
Pacote de Dispositivo do Fornecedor14-DIP

VQ1001P-E3 folha de dados

VQ1001P-E3 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

VQ1001P-E3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that VQ1001P-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the VQ1001P-E3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including VQ1001P-E3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of VQ1001P-E3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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  • 6. What is the process for return or replacement of VQ1001P-E3?
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Vishay Siliconix

QUAD N-CH MOSFET SIDEBRAZE-14 30V 1.0 OHM (HOTS) LEAD FREE - Bulk

0
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D# VQ1001P-E3-ND

Vishay Siliconix

MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP

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