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TPH2900ENH,L1Q

TPH2900ENH,L1Q

TPH2900ENH,L1Q

Apenas para referência

Nº de peças TPH2900ENH,L1Q
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição MOSFET N-CH 200V 33A SOP8
Ficha técnica
pacote 8-PowerVDFN
ECAD
Em estoque 4.416 piece(s)
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Especificações do TPH2900ENH,L1Q

FabricanteToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote8-PowerVDFN
ECAD
SeriesU-MOSVIII-H
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C33A (Ta)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs22nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds2200pF @ 100V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs29 mOhm @ 16.5A, 10V
Temperatura de operação150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor8-SOP Advance (5x5)
Pacote / caso8-PowerVDFN

TPH2900ENH,L1Q Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

TPH2900ENH,L1Q FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that TPH2900ENH,L1Q is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the TPH2900ENH,L1Q price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of TPH2900ENH,L1Q?
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    (1)Inform us within 90 days
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Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET N-CH Si 200V 36A 8-Pin SOP Advance T/R

RoHS: Compliant
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Trans MOSFET N-CH 200V 33A 8-Pin SOP - Tape and Reel (Alt: TPH2900ENH,L1Q)

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D# TPH2900ENH,L1Q(M

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Trans MOSFET N 200V 36A 8-Pin SOP (Alt: TPH2900ENH,L1Q(M)

RoHS: Compliant
0
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TPH2900ENHL1Q(M

D# TPH2900ENH,L1Q(M

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Trans MOSFET N 200V 36A 8-Pin SOP (Alt: TPH2900ENH,L1Q(M)

RoHS: Compliant
0
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TPH2900ENH,L1Q(M

D# C1S751201138790

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MOSFET

RoHS: Not Compliant
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Container: Cut Tape
4496
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D# TPH2900ENHL1QCT-ND

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MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP

6311
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24985
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MOSFET Power MOSFET N-Channel

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