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TPH1R712MD,L1Q

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TPH1R712MD,L1Q

Apenas para referência

Nº de peças TPH1R712MD,L1Q
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP ADV
Ficha técnica
pacote 8-PowerVDFN
ECAD
Em estoque 2.240 piece(s)
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Especificações do TPH1R712MD,L1Q

FabricanteToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote8-PowerVDFN
ECAD
SeriesU-MOSVI
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C60A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.2V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs182nC @ 5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds10900pF @ 10V
Vgs (máx.)±12V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.7 mOhm @ 30A, 4.5V
Temperatura de operação150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor8-SOP Advance (5x5)
Pacote / caso8-PowerVDFN

TPH1R712MD,L1Q Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

TPH1R712MD,L1Q FAQ

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    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the TPH1R712MD,L1Q. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including TPH1R712MD,L1Q on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of TPH1R712MD,L1Q products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the TPH1R712MD,L1Q price and inventory displayed accurate?
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    (1)Inform us within 90 days
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D# V72:2272_13897482

Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET P-CH Si 20V 60A 8-Pin SOP Advance T/R

RoHS: Compliant
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D# TPH1R712MDL1QTR-ND

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MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP

0
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