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TPCC8A01-H(TE12LQM

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Apenas para referência

Nº de peças TPCC8A01-H(TE12LQM
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição MOSFET N-CH 30V 21A SBD 8TSON
Ficha técnica
pacote 8-VDFN Exposed Pad
ECAD
Em estoque 3.456 piece(s)
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Especificações do TPCC8A01-H(TE12LQM

FabricanteToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote8-VDFN Exposed Pad
ECAD
SeriesU-MOSV-H
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C21A (Ta)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.3V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds1900pF @ 10V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)700mW (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs9.9 mOhm @ 10.5A, 10V
Temperatura de operação150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor8-TSON
Pacote / caso8-VDFN Exposed Pad

TPCC8A01-H(TE12LQM Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

TPCC8A01-H(TE12LQM FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that TPCC8A01-H(TE12LQM is from the original manufacturer or authorized agents?
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    (1)Inform us within 90 days
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3000
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Toshiba America Electronic Components

MOSFET N-CH 30V 21A 8TSON

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