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TPCA8011-H(TE12LQM

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TPCA8011-H(TE12LQM

Apenas para referência

Nº de peças TPCA8011-H(TE12LQM
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição MOSFET N-CH 20V 40A SOP-8 ADV
Ficha técnica

TPCA8011-H(TE12LQM Ficha técnica

pacote 8-PowerVDFN
ECAD
Em estoque 6.384 piece(s)
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Especificações do TPCA8011-H(TE12LQM

FabricanteToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote8-PowerVDFN
ECAD
SeriesU-MOSIII-H
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C40A (Ta)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.3V @ 200µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs32nC @ 5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds2900pF @ 10V
Vgs (máx.)±12V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)1.6W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5 mOhm @ 20A, 4.5V
Temperatura de operação150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor8-SOP Advance (5x5)
Pacote / caso8-PowerVDFN

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TPCA8011-H(TE12LQM Packaging

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Sealing
Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that TPCA8011-H(TE12LQM is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the TPCA8011-H(TE12LQM price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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    (1)Inform us within 90 days
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Toshiba America Electronic Components

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

RoHS: Compliant
0
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D# TPCA8011-H(TE12LQM-ND

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MOSFET N-CH 20V 40A 8SOP

0
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