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TPC8113(TE12L,Q)

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TPC8113(TE12L,Q)

Apenas para referência

Nº de peças TPC8113(TE12L,Q)
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
Ficha técnica

TPC8113(TE12L,Q) Ficha técnica

pacote 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
ECAD
Em estoque 3.216 piece(s)
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Especificações do TPC8113(TE12L,Q)

FabricanteToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
ECAD
Series-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C11A (Ta)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs107nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds4500pF @ 10V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs10 mOhm @ 5.5A, 10V
Temperatura de operação150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor8-SOP (5.5x6.0)
Pacote / caso8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

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TPC8113(TE12L,Q) Packaging

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Packing
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Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

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D# TPC8113(TE12L,Q)-ND

Toshiba America Electronic Components

MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP

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