Name: TP0202K-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: TP0202K-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (93 reviews)

TP0202K-T1-GE3

Apenas para referência

Nº de peças	TP0202K-T1-GE3
Fabricante	Vishay Siliconix
Descrição	MOSFET P-CH 30V 385MA SOT23-3
Ficha técnica	TP0202K-T1-GE3 Ficha técnica
pacote	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
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Especificações do TP0202K-T1-GE3

Fabricante	Vishay Siliconix
Categoria	Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
Series	TrenchFET?
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	385mA (Ta)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	1nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	31pF @ 15V
Vgs (máx.)	±20V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 Ohm @ 500mA, 10V
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	SOT-23-3 (TO-236)
Pacote / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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TP0202K-T1-GE3 FAQ

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Nº de peças

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Descrição

Estoque

TP0202K-T1-GE3

Vishay Siliconix

P CHANNEL MOSFET, -30V, 385mA, TO-236, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:-385mA, Drain Source Voltage Vds:-30V, On Resistance Rds(on):1.4ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V, Threshold Voltage Vgs:-2V , RoHS Compliant: Yes

399

Nº de peças

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Descrição

Estoque

TP0202K-T1-GE3

D# TP0202K-T1-GE3-ND

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 385MA SOT23-3

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TP0202K-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

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D# 1794815

Vishay Intertechnologies

MOSFET, P CH, 30V, 0.385A, SOT23

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Cut Tape

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Vishay Siliconix

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