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TK56E12N1,S1X

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Apenas para referência

Nº de peças TK56E12N1,S1X
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição MOSFET N CH 120V 56A TO-220
Ficha técnica
pacote TO-220-3
ECAD
Em estoque 5.248 piece(s)
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Especificações do TK56E12N1,S1X

FabricanteToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-220-3
ECAD
SeriesU-MOSVIII-H
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)120V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C56A (Ta)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs69nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds4200pF @ 60V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)168W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs7 mOhm @ 28A, 10V
Temperatura de operação150°C (TJ)
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote de Dispositivo do FornecedorTO-220
Pacote / casoTO-220-3

TK56E12N1,S1X Packaging

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Packing
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TK56E12N1,S1X FAQ

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MOSFET N CH 120V 56A TO-220

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MOSFET N-Ch 120V 112A 168W UMOSVIII 4200pF 69nC

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