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TK40E06N1,S1X

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TK40E06N1,S1X

Apenas para referência

Nº de peças TK40E06N1,S1X
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição MOSFET N CH 60V 40A TO-220
Ficha técnica
pacote TO-220-3
ECAD
Em estoque 4.768 piece(s)
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Especificações do TK40E06N1,S1X

FabricanteToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-220-3
ECAD
SeriesU-MOSVIII-H
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C40A (Ta)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 300µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs23nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds1700pF @ 30V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)67W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs10.4 mOhm @ 20A, 10V
Temperatura de operação150°C (TJ)
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote de Dispositivo do FornecedorTO-220
Pacote / casoTO-220-3

TK40E06N1,S1X Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
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TK40E06N1,S1X FAQ

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  • 3. Are the TK40E06N1,S1X price and inventory displayed accurate?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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Trans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

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Trans MOSFET N 60V 60A 3-Pin TO-220 Tube - Rail/Tube (Alt: TK40E06N1,S1X)

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D# TK40E06N1,S1X(S

Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin TO-220 (Alt: TK40E06N1,S1X(S)

RoHS: Compliant
0
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TK40E06N1S1X

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Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0.0104ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

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0

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MOSFET N-CH 60V 40A TO220

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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

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MOSFET 100V N-Ch PWR FET 60A 67W 23nC

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Toshiba America Electronic Components

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MOSFET 100V N-CH PWR FET 60A

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Trans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

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