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TK39J60W5,S1VQ

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Apenas para referência

Nº de peças TK39J60W5,S1VQ
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição MOSFET N CH 600V 38.8A TO-3P(N)
Ficha técnica
pacote TO-3P-3, SC-65-3
ECAD
Em estoque 9.384 piece(s)
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Especificações do TK39J60W5,S1VQ

FabricanteToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-3P-3, SC-65-3
ECAD
SeriesDTMOSIV
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C38.8A (Ta)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.7V @ 1.9mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs135nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds4100pF @ 300V
Vgs (máx.)±30V
Recurso FETSuper Junction
Dissipação de energia (máx.)270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs65 mOhm @ 19.4A, 10V
Temperatura de operação150°C (TJ)
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote de Dispositivo do FornecedorTO-3P(N)
Pacote / casoTO-3P-3, SC-65-3

TK39J60W5,S1VQ Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
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TK39J60W5,S1VQ FAQ

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Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube

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Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET N 600V 38.8A 3-Pin SC-65 Bag - Rail/Tube (Alt: TK39J60W5,S1VQ)

RoHS: Compliant
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D# TK39J60W5S1VQ-ND

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MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P

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293
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OEM/CM Immediate delivery

40
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D# 757-TK39J60W5S1VQ

Toshiba America Electronic Components

MOSFET N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 135nC

RoHS: Compliant
52
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D# 10AH1293

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X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-3PN(OS) MOQ=50 PD=270W F=1MHZ ROHS COMPLIANT: YES

RoHS: Compliant
Min Qty: 25
Container: Bulk
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D# 8962363

Toshiba America Electronic Components

N-Channel MOSFET, 39 A, 600 V, 3-Pin TO-3PN Toshiba TK39J60W5,S1VQ(O, EA

Min Qty: 1
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22
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OEM/CM ONLY

241
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MOSFET N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 135nC

pbFree: Pb-Free
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