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TK32E12N1,S1X

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TK32E12N1,S1X

Apenas para referência

Nº de peças TK32E12N1,S1X
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição MOSFET N CH 120V 60A TO-220
Ficha técnica
pacote TO-220-3
ECAD
Em estoque 11.508 piece(s)
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Especificações do TK32E12N1,S1X

FabricanteToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-220-3
ECAD
SeriesU-MOSVIII-H
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)120V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C60A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 500µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs34nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds2000pF @ 60V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)98W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs13.8 mOhm @ 16A, 10V
Temperatura de operação150°C (TJ)
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote de Dispositivo do FornecedorTO-220
Pacote / casoTO-220-3

TK32E12N1,S1X Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
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TK32E12N1,S1X FAQ

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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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Trans MOSFET N-CH Si 120V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

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Trans MOSFET N 120V 60A 3-Pin TO-220 Tube - Rail/Tube (Alt: TK32E12N1,S1X)

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0
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D# TK32E12N1,S1X(S

Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET N-CH 120V 60A 3-Pin TO-220 (Alt: TK32E12N1,S1X(S)

RoHS: Compliant
0
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Toshiba America Electronic Components

RoHS: Compliant
0
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

TK32E12N1,S1X

D# TK32E12N1S1X-ND

Toshiba America Electronic Components

MOSFET N CH 120V 60A TO-220

14
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

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Min Qty: 5
Container: Package
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OEM/CM ONLY

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MOSFET 120V N-CH 60A FET 98W 2000PF

pbFree: Pb-Free
0
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D# 36450583

Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET N-CH Si 120V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

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