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TK100E10N1,S1X

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TK100E10N1,S1X

Apenas para referência

Nº de peças TK100E10N1,S1X
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição MOSFET N-CH 100V 100A TO220
Ficha técnica
pacote TO-220-3
ECAD
Em estoque 19.974 piece(s)
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Especificações do TK100E10N1,S1X

FabricanteToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-220-3
ECAD
SeriesU-MOSVIII-H
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C100A (Ta)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs140nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds8800pF @ 50V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.4 mOhm @ 50A, 10V
Temperatura de operação150°C (TJ)
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote de Dispositivo do FornecedorTO-220
Pacote / casoTO-220-3

TK100E10N1,S1X Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
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TK100E10N1,S1X FAQ

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Trans MOSFET N-CH 100V 207A 3-Pin TO-220 Tube (Alt: TK100E10N1,S1X(S)

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MOSFET

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MOSFET

pbFree: Yes
Min Qty: 1
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34
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MOSFET N-CH 100V 100A TO220

1809
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MOSFET 100V N-Ch PWR FET 8800pF 140nC 207A

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370
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N-Channel MOSFET, 207 A, 100 V, 3-Pin TO-220 Toshiba TK100E10N1,S1X(S, PK

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TK100E10N1S1XS

OEM/CM ONLY

544
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MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR

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MOSFET 100V N-Ch PWR FET 8800pF 140nC 207A

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