Name: TH58NYG3S0HBAI6
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TH58NYG3S0HBAI6
Availability: InStock
Rating: 5 (152 reviews)

TH58NYG3S0HBAI6

Apenas para referência

Nº de peças	TH58NYG3S0HBAI6
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição	IC EEPROM 8GBIT 25NS 67VFBGA
Ficha técnica
pacote	67-VFBGA
ECAD
Em estoque	7.536 piece(s)
Preço unitário	Request a Quote
Tempo de entrega	A ser confirmado
Tempo de entrega estimado	jun 13 - jun 18 (Escolha o envio acelerado)
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Especificações do TH58NYG3S0HBAI6

Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria	Circuitos integrados - Memória
pacote	67-VFBGA
ECAD
Series	-
Tipo de memória	Non-Volatile
Formato de memória	EEPROM
Tecnologia	EEPROM - NAND
Tamanho da memória	8Gb (1G x 8)
Interface de memória	Parallel
Freqüência do relógio	-
Escrever tempo de ciclo - Word, página	25ns
Tempo de acesso	25ns
Tensão - fonte	1.7 V ~ 1.95 V
Temperatura de operação	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / caso	67-VFBGA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	67-VFBGA (6.5x8)

TH58NYG3S0HBAI6 Packaging

TH58NYG3S0HBAI6 FAQ

1. How to order TH58NYG3S0HBAI6 on Heisener?

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2. How does Heisener guarantee that TH58NYG3S0HBAI6 is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the TH58NYG3S0HBAI6 price and inventory displayed accurate?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the TH58NYG3S0HBAI6 we delivered, we will accept the replacement or return of the TH58NYG3S0HBAI6 only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of TH58NYG3S0HBAI6.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Nº de peças

Fabricante

Descrição

Estoque

TH58NYG3S0HBAI6

D# V36:1790_16023462

KIOXIA

NAND Flash Parallel 1.8V 8G-bit 1G x 8 67-Pin VFBGA

RoHS: Compliant

Nº de peças

Fabricante

Descrição

Estoque

TH58NYG3S0HBAI6

D# TH58NYG3S0HBAI6

KIOXIA

8G(4G x 2)bit, generation: 24nm, VCC=1.7 to 1.95V - Trays (Alt: TH58NYG3S0HBAI6)

RoHS: Compliant

Nº de peças

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Descrição

Estoque

TH58NYG3S0HBAI6_TRAY

D# TH58NYG3S0HBAI6_TRAY

Toshiba America Electronic Components

NAND Flash Memory (Alt: TH58NYG3S0HBAI6_TRAY)

Nº de peças

Fabricante

Descrição

Estoque

TH58NYG3S0HBAI6

D# TH58NYG3S0HBAI6-ND

KIOXIA

IC FLASH 8GBIT PARALLEL 67VFBGA

256

Nº de peças

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Descrição

Estoque

TH58NYG3S0HBAI6

KIOXIA AMERICA, INC.

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

305

Nº de peças

Fabricante

Descrição

Estoque

TH58NYG3S0HBAI6

D# 757-TH58NYG3S0HBAI6

Kioxia

NAND Flash 1.95V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

RoHS: Compliant

344

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