Name: TC58NYG1S3HBAI6
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TC58NYG1S3HBAI6
Price: 3.2064 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (123 reviews)

TC58NYG1S3HBAI6

Apenas para referência

Nº de peças	TC58NYG1S3HBAI6
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição	IC EEPROM 2GBIT 25NS 67FBGA
Ficha técnica
pacote	67-VFBGA
ECAD
Em estoque	9.420 piece(s)
Preço unitário	$ 3,2064 *
Tempo de entrega	A ser confirmado
Tempo de entrega estimado	dez 20 - dez 25 (Escolha o envio acelerado)
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Especificações do TC58NYG1S3HBAI6

Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria	Circuitos integrados - Memória
pacote	67-VFBGA
ECAD
Series	-
Tipo de memória	Non-Volatile
Formato de memória	EEPROM
Tecnologia	EEPROM - NAND
Tamanho da memória	2Gb (256M x 8)
Interface de memória	Parallel
Freqüência do relógio	-
Escrever tempo de ciclo - Word, página	25ns
Tempo de acesso	25ns
Tensão - fonte	1.7 V ~ 1.95 V
Temperatura de operação	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / caso	67-VFBGA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	67-VFBGA (6.5x8)

TC58NYG1S3HBAI6 Packaging

TC58NYG1S3HBAI6 FAQ

1. How to order TC58NYG1S3HBAI6 on Heisener?

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2. How does Heisener guarantee that TC58NYG1S3HBAI6 is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the TC58NYG1S3HBAI6 price and inventory displayed accurate?

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of TC58NYG1S3HBAI6.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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NAND Flash Parallel 1.8V 2G-bit 256M x 8 67-Pin VFBGA

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D# TC58NYG1S3HBAI6

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2Gbit, generation: 24nm, VCC=1.7 to 1.95V - Trays (Alt: TC58NYG1S3HBAI6)

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D# TC58NYG1S3HBAI6_REEL

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TC58NYG1S3HBAI6_TRAY

D# TC58NYG1S3HBAI6_TRAY

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NAND Flash Memory (Alt: TC58NYG1S3HBAI6_TRAY)

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D# TC58NYG1S3HBAI6-ND

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