Name: TC58BYG0S3HBAI6
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TC58BYG0S3HBAI6
Price: 3.4505 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (118 reviews)

TC58BYG0S3HBAI6

Apenas para referência

Nº de peças	TC58BYG0S3HBAI6
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição	IC EEPROM 1GBIT 25NS 67VFBGA
Ficha técnica
pacote	67-VFBGA
ECAD
Em estoque	49.404 piece(s)
Preço unitário	$ 3,4505 *
Tempo de entrega	Pode ser enviado imediatamente
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Especificações do TC58BYG0S3HBAI6

Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria	Circuitos integrados - Memória
pacote	67-VFBGA
ECAD
Series	Benand?
Tipo de memória	Non-Volatile
Formato de memória	EEPROM
Tecnologia	EEPROM - NAND
Tamanho da memória	1Gb (128M x 8)
Interface de memória	Parallel
Freqüência do relógio	-
Escrever tempo de ciclo - Word, página	25ns
Tempo de acesso	25ns
Tensão - fonte	1.7 V ~ 1.95 V
Temperatura de operação	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / caso	67-VFBGA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	67-VFBGA (6.5x8)

TC58BYG0S3HBAI6 Packaging

TC58BYG0S3HBAI6 FAQ

1. How to order TC58BYG0S3HBAI6 on Heisener?

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2. How does Heisener guarantee that TC58BYG0S3HBAI6 is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the TC58BYG0S3HBAI6 price and inventory displayed accurate?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the TC58BYG0S3HBAI6 we delivered, we will accept the replacement or return of the TC58BYG0S3HBAI6 only when all of the below conditions are fulfilled:

(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of TC58BYG0S3HBAI6.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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KIOXIA

NAND Flash Parallel 1.8V 1G-bit 128M x 8 67-Pin VFBGA

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D# TC58BYG0S3HBAI6

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1Gbit, generation: 24nm, ECC logic on the chip, VCC=1.7 to 1.95V - Trays (Alt: TC58BYG0S3HBAI6)

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D# TC58BYG0S3HBAI6-ND

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IC FLASH 1GBIT PARALLEL 67VFBGA

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