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SUP60N10-16L-E3

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SUP60N10-16L-E3

Apenas para referência

Nº de peças SUP60N10-16L-E3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
Ficha técnica

SUP60N10-16L-E3 Ficha técnica

pacote TO-220-3
ECAD
Em estoque 16.152 piece(s)
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Especificações do SUP60N10-16L-E3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-220-3
ECAD
SeriesTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C60A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs110nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds3820pF @ 25V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs16 mOhm @ 30A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote de Dispositivo do FornecedorTO-220AB
Pacote / casoTO-220-3

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SUP60N10-16L-E3 Packaging

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Packing
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