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SUP40N10-30-GE3

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SUP40N10-30-GE3

Apenas para referência

Nº de peças SUP40N10-30-GE3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET N-CH 100V 38.5A TO220AB
Ficha técnica

SUP40N10-30-GE3 Ficha técnica

pacote TO-220-3
ECAD
Em estoque 119.400 piece(s)
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Especificações do SUP40N10-30-GE3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-220-3
ECAD
SeriesTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C38.5A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs60nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds2400pF @ 25V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)3.1W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs30 mOhm @ 15A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote de Dispositivo do FornecedorTO-220AB
Pacote / casoTO-220-3

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SUP40N10-30-GE3 Packaging

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Packing
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SUP40N10-30-GE3 FAQ

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