Name: STW21NM50N
Brand: STMicroelectronics
SKU: STW21NM50N
Availability: InStock
Rating: 5 (153 reviews)

STW21NM50N

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Nº de peças	STW21NM50N
Fabricante	STMicroelectronics
Descrição	MOSFET N-CH 500V 18A TO-247
Ficha técnica	STW21NM50N Ficha técnica
pacote	TO-247-3
ECAD
Em estoque	173.844 piece(s)
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Especificações do STW21NM50N

Fabricante	STMicroelectronics
Categoria	Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote	TO-247-3
ECAD
Series	MDmesh? II
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	18A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	65nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1950pF @ 25V
Vgs (máx.)	±25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 9A, 10V
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-247-3
Pacote / caso	TO-247-3

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STW21NM50N Packaging

STW21NM50N FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the STW21NM50N we delivered, we will accept the replacement or return of the STW21NM50N only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of STW21NM50N.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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STW21NM50N

STMicroelectronics

Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 500V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247

RoHS: Compliant

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STW21NM50N

D# 497-4806-5-ND

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MOSFET N-CH 500V 18A TO247-3

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VBsemi Electronics Co Ltd

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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 18A I(D), 500V, 0.19OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-247

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