Name: STP12NM50N
Brand: STMicroelectronics
SKU: STP12NM50N
Availability: InStock
Rating: 5 (151 reviews)

STP12NM50N

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Nº de peças	STP12NM50N
Fabricante	STMicroelectronics
Descrição	MOSFET N-CH 500V 11A TO-220
Ficha técnica	STP12NM50N Ficha técnica
pacote	TO-220-3
ECAD
Em estoque	7.584 piece(s)
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Tempo de entrega	Pode ser enviado imediatamente
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Especificações do STP12NM50N

Fabricante	STMicroelectronics
Categoria	Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote	TO-220-3
ECAD
Series	MDmesh? II
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	11A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	940pF @ 50V
Vgs (máx.)	±25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	380 mOhm @ 5.5A, 10V
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-220AB
Pacote / caso	TO-220-3

STP12NM50N folha de dados

STP12NM50N Packaging

STP12NM50N FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the STP12NM50N we delivered, we will accept the replacement or return of the STP12NM50N only when all of the below conditions are fulfilled:

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 11A I(D), 500V, 0.38OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220AB

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