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STB200N4F3

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STB200N4F3

Apenas para referência

Nº de peças STB200N4F3
Fabricante STMicroelectronics
Descrição MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Ficha técnica

STB200N4F3 Ficha técnica

pacote TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Especificações do STB200N4F3

FabricanteSTMicroelectronics
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SeriesSTripFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C120A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs75nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds5100pF @ 25V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs4 mOhm @ 80A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do FornecedorD2PAK
Pacote / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STB200N4F3 folha de dados

STB200N4F3 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

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    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the STB200N4F3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including STB200N4F3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of STB200N4F3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the STB200N4F3 price and inventory displayed accurate?
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