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STB10N65K3

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Apenas para referência

Nº de peças STB10N65K3
Fabricante STMicroelectronics
Descrição MOSFET N-CH 650V 10A D2PAK
Ficha técnica

STB10N65K3 Ficha técnica

pacote TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Em estoque 6.048 piece(s)
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Especificações do STB10N65K3

FabricanteSTMicroelectronics
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SeriesSuperMESH3?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C10A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs42nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds1180pF @ 25V
Vgs (máx.)±30V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1 Ohm @ 3.6A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do FornecedorD2PAK
Pacote / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STB10N65K3 folha de dados

STB10N65K3 Packaging

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Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that STB10N65K3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the STB10N65K3 price and inventory displayed accurate?
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D# 497-14032-1-ND

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2380
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