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SSR1N60BTM_F080

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SSR1N60BTM_F080

Apenas para referência

Nº de peças SSR1N60BTM_F080
Fabricante Fairchild/ON Semiconductor
Descrição MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK
Ficha técnica

SSR1N60BTM_F080 Ficha técnica

pacote TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Em estoque 5.072 piece(s)
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Especificações do SSR1N60BTM_F080

FabricanteFairchild/ON Semiconductor
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Series-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C900mA (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs7.7nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds215pF @ 25V
Vgs (máx.)±30V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)2.5W (Ta), 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs12 Ohm @ 450mA, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do FornecedorD-Pak
Pacote / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SSR1N60BTM_F080 folha de dados

SSR1N60BTM_F080 Packaging

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Packing
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MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK

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ON Semiconductor

MOSFET N-CH 600V 900MA DPAK

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D# NS-SSR1N60BTM_F080

Fairchild Semiconductor Corporation

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