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SSM6J505NU,LF

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SSM6J505NU,LF

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Nº de peças SSM6J505NU,LF
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição MOSFET P CH 12V 12A UDFN6B
Ficha técnica
pacote 6-WDFN Exposed Pad
ECAD
Em estoque 45.756 piece(s)
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Especificações do SSM6J505NU,LF

FabricanteToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote6-WDFN Exposed Pad
ECAD
SeriesU-MOSVI
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C12A (Ta)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs37.6nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds2700pF @ 10V
Vgs (máx.)±6V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs12 mOhm @ 4A, 4.5V
Temperatura de operação150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor6-UDFNB (2x2)
Pacote / caso6-WDFN Exposed Pad

SSM6J505NU,LF Packaging

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Sealing
Packing
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SSM6J505NU,LF FAQ

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    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SSM6J505NU,LF. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SSM6J505NU,LF on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SSM6J505NU,LF products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SSM6J505NU,LF price and inventory displayed accurate?
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 Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET P-CH Si 12V 12A 6-Pin UDFN-B EP T/R

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PB-F UDFN6 PCH MOSFET (LF) TRANSISTOR PD: 1W VDS=20V - Tape and Reel (Alt: SSM6J505NU,LF)

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RoHS: Compliant
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Container: Cut Tape
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 0
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MOSFET P-Ch U-MOS VI FET ID -12A -12V 1200pF

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MOSFET P-Ch U-MOS VI FET ID -12A -12V 1200pF

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MOSFET P-CHANNEL MOSFET (LF) TRANSIST

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Trans MOSFET P-CH Si 12V 12A 6-Pin UDFN EP T/R

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Trans MOSFET P-CH Si 12V 12A 6-Pin UDFN-B EP T/R

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