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SPP08N50C3XKSA1

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Apenas para referência

Nº de peças SPP08N50C3XKSA1
Fabricante Infineon Technologies
Descrição MOSFET N-CH 560V 7.6A TO-220AB
Ficha técnica

SPP08N50C3XKSA1 Ficha técnica

pacote TO-220-3
ECAD
Em estoque 6.060 piece(s)
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Especificações do SPP08N50C3XKSA1

FabricanteInfineon Technologies
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-220-3
ECAD
SeriesCoolMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)560V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C7.6A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.9V @ 350µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs32nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds750pF @ 25V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs600 mOhm @ 4.6A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote de Dispositivo do FornecedorPG-TO220-3-1
Pacote / casoTO-220-3

SPP08N50C3XKSA1 folha de dados

SPP08N50C3XKSA1 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

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Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

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MOSFET N-CH 560V 7.6A TO-220AB

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D# 2726033

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MOSFET, N-CH, 560V, 7.6A, TO-220

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