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SPP02N60C3HKSA1

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SPP02N60C3HKSA1

Apenas para referência

Nº de peças SPP02N60C3HKSA1
Fabricante Infineon Technologies
Descrição MOSFET N-CH 650V 1.8A TO-220AB
Ficha técnica

SPP02N60C3HKSA1 Ficha técnica

pacote TO-220-3
ECAD
Em estoque 2.912 piece(s)
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Especificações do SPP02N60C3HKSA1

FabricanteInfineon Technologies
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-220-3
ECAD
SeriesCoolMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C1.8A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.9V @ 80µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs12.5nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds200pF @ 25V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3 Ohm @ 1.1A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote de Dispositivo do FornecedorPG-TO220-3-1
Pacote / casoTO-220-3

SPP02N60C3HKSA1 folha de dados

SPP02N60C3HKSA1 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

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    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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