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SPB80N06S2L-11

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SPB80N06S2L-11

Apenas para referência

Nº de peças SPB80N06S2L-11
Fabricante Infineon Technologies
Descrição MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Ficha técnica

SPB80N06S2L-11 Ficha técnica

pacote TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Em estoque 33.924 piece(s)
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Especificações do SPB80N06S2L-11

FabricanteInfineon Technologies
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SeriesOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C80A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 93µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs80nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds2650pF @ 25V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)158W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs11 mOhm @ 40A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do FornecedorPG-TO263-3-2
Pacote / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SPB80N06S2L-11 folha de dados

SPB80N06S2L-11 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

SPB80N06S2L-11 FAQ

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    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SPB80N06S2L-11. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SPB80N06S2L-11 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SPB80N06S2L-11 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SPB80N06S2L-11 price and inventory displayed accurate?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
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Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

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D# SPB80N06S2L-11

Infineon Technologies AG

Power Transistor, OptiMOS, 55V, 80A, 3-pin(2+tab) TO-263 - Bulk (Alt: SPB80N06S2L-11)

RoHS: Not Compliant
0
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

SPB80N06S2L-11

Infineon Technologies AG

N/A 80 A, 55 V, 0.0147 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB PLASTIC, TO-263, 3 PIN

2000
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

SPB80N06S2L11

Infineon Technologies AG

Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0147ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

RoHS: Not Compliant
0
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

SPB80N06S2L-11

D# 2156-SPB80N06S2L-11-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

2000
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Infineon Technologies AG

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1193
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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

15232
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OEM/CM Immediate delivery

58963
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D# NS-SPB80N06S2L-11

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

8435
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Infineon Technologies AG

OptlMOS, 80A, 55V, 0.0147ohm, N-Channel, Power MOSFET

RoHS: Not Compliant
2000
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SPB80N06S2L11

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

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Infineon Technologies AG

IN stock Immediate delivery

58948
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