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SPB80N06S2L-07

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SPB80N06S2L-07

Apenas para referência

Nº de peças SPB80N06S2L-07
Fabricante Infineon Technologies
Descrição MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Ficha técnica

SPB80N06S2L-07 Ficha técnica

pacote TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Em estoque 42.552 piece(s)
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Especificações do SPB80N06S2L-07

FabricanteInfineon Technologies
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SeriesOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C80A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 150µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs130nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds4210pF @ 25V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)210W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs7 mOhm @ 60A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do FornecedorPG-TO263-3-2
Pacote / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SPB80N06S2L-07 folha de dados

SPB80N06S2L-07 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

SPB80N06S2L-07 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SPB80N06S2L-07 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SPB80N06S2L-07 price and inventory displayed accurate?
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INFINEON 0321-0

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