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SPB35N10 G

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Apenas para referência

Nº de peças SPB35N10 G
Fabricante Infineon Technologies
Descrição MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
Ficha técnica

SPB35N10 G Ficha técnica

pacote TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Em estoque 5.072 piece(s)
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Especificações do SPB35N10 G

FabricanteInfineon Technologies
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SeriesSIPMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C35A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 83µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs65nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds1570pF @ 25V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs44 mOhm @ 26.4A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do FornecedorPG-TO263-3-2
Pacote / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SPB35N10 G folha de dados

SPB35N10 G Packaging

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Packing
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SPB35N10 G FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SPB35N10 G is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SPB35N10 G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SPB35N10 G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SPB35N10 G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SPB35N10 G price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SPB35N10 G?
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MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK

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5260

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20260
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D# NS-SPB35N10T

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Infineon Technologies AG

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1488

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639
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19985
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

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Infineon Technologies AG

RFQ

9589

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