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SIZ900DT-T1-GE3

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SIZ900DT-T1-GE3

Apenas para referência

Nº de peças SIZ900DT-T1-GE3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
Ficha técnica

SIZ900DT-T1-GE3 Ficha técnica

pacote 6-PowerPair?
ECAD
Em estoque 125.028 piece(s)
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Especificações do SIZ900DT-T1-GE3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Arranjos
pacote6-PowerPair?
ECAD
SeriesTrenchFET?
Tipo FET2 N-Channel (Half Bridge)
Recurso FETLogic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C24A, 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.2 mOhm @ 19.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs45nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds1830pF @ 15V
Potência - Max48W, 100W
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote / caso6-PowerPair?
Pacote de Dispositivo do Fornecedor6-PowerPair?

SIZ900DT-T1-GE3 folha de dados

SIZ900DT-T1-GE3 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

SIZ900DT-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SIZ900DT-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SIZ900DT-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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    Warm Tips: Some orders in certain payment forms may require handling fee.
  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SIZ900DT-T1-GE3?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
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MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR

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MOSFET, NN CH, 30V, PPAIR 6X5

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Container: Each
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2672
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5822
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OEM/CM ONLY

2411
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