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| Nº de peças | SIS410DN-T1-GE3 |
|---|---|
| Fabricante | Vishay Siliconix |
| Descrição | MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8 |
| Ficha técnica | |
| pacote | PowerPAK? 1212-8 |
| ECAD |
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| Em estoque | 15.912 piece(s) |
| Preço unitário | Request a Quote |
| Tempo de entrega | Pode ser enviado imediatamente |
| Tempo de entrega estimado | jan 14 - jan 19 (Escolha o envio acelerado) |
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| Métodos de Pagamento | |
| Serviço de entrega |
| Fabricante | Vishay Siliconix |
| Categoria | Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples |
| pacote | PowerPAK? 1212-8 |
| ECAD |
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| Series | TrenchFET? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
| Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
| Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 10V |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Recurso FET | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8 mOhm @ 20A, 10V |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PowerPAK? 1212-8 |
| Pacote / caso | PowerPAK? 1212-8 |
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SIT8208AI-31-28E-33.333000Y | SiTime, -40 TO 85C, 5032, 20PPM, 2.8V, 3, -, TrenchFET? | Visão |
 
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TL081BCP | Texas Instruments, IC OPAMP JFET 3MHZ 8DIP, 8-DIP (0.300", 7.62mm), TrenchFET? | Visão |
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XPEWHT-L1-0000-009F4 | Cree Inc., LED XLAMP NEUTRAL WHT 4750K 2SMD, 1414 (3535 Metric), TrenchFET? | Visão |
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RSF3JT10K0 | Stackpole Electronics Inc., RES 10K OHM 3W 5% AXIAL, Axial, TrenchFET? | Visão |
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D55342E07B402ARWS | Vishay Dale, RES SMD 402 OHM 0.1% 1/4W 1206, 1206 (3216 Metric), TrenchFET? | Visão |
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HCNW4506-300E | Broadcom Limited, OPTOISO 5KV OPEN COLL 8DIP GW, 8-SMD, Gull Wing, TrenchFET? | Visão |
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1909087 | Phoenix Contact, TERM BLOCK HDR 7POS 90DEG 3.81MM, -, TrenchFET? | Visão |
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0387006106 | Molex, LLC, CONN BARRIER STRIP 6CIRC 0.325", -, TrenchFET? | Visão |
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PPPN042FJFN | Sullins Connector Solutions, CONN HEADER 2MM DUAL R/A 8POS, -, TrenchFET? | Visão |
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FX2CA-20S-1.27DSA | Hirose Electric Co Ltd, CONN RECEPT VERT 20POS 1.27MM, -, TrenchFET? | Visão |
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420AS16056 | Tamura, AC/AC WALL MOUNT ADAPTER 16V 9W, -, TrenchFET? | Visão |
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V375B8T200BS2 | Vicor Corporation, CONVERTER MOD DC/DC 8V 200W, 9-DIP Module, TrenchFET? | Visão |
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| Nº de peças | Fabricante | Descrição | Estoque |
SIS410DN-T1-GE3 D# E02:0323_00531470 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 22A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R RoHS: Compliant
|
0 |
| Nº de peças | Fabricante | Descrição | Estoque |
SIS410DN-T1-GE3 D# SIS410DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 22A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R - Tape and Reel (Alt: SIS410DN-T1-GE3) RoHS: Compliant
|
0 |
| Nº de peças | Fabricante | Descrição | Estoque |
SIS410DN-T1-GE3 D# SIS410DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 22A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R (Alt: SIS410DN-T1-GE3) RoHS: Compliant
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0 |
| Nº de peças | Fabricante | Descrição | Estoque |
SIS410DN-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8 |
159000 |
| Nº de peças | Fabricante | Descrição | Estoque |
SIS410DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
N-Channel 20V 35A 2.5V @ 250uA 4.8mohms @ 20A,10V 3.8W PowerPAK 1212-8 MOSFET RoHS |
66 |
| Nº de peças | Fabricante | Descrição | Estoque |
SIS410DNT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 20V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET RoHS: Compliant
|
0 |
| Nº de peças | Fabricante | Descrição | Estoque |
SIS410DN-T1-GE3 D# SIS410DN-T1-GE3CT-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8 |
145811 |
| Nº de peças | Fabricante | Descrição | Estoque |
SIS410DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
In stock shipping within 2days |
18260 |
| Nº de peças | Fabricante | Descrição | Estoque |
SIS410DN-T1-GE3 D# 1779235 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N-CH, 20V, 35A, POWERPAK8 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
|
1016 |
| Nº de peças | Fabricante | Descrição | Estoque |
SIS410DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Single N-Channel 20 V 0.0048 Ohm 52 W SMT Power Mosfet - PowerPAK-1212-8 RoHS: Compliant
pbFree: Yes
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0 |
| Nº de peças | Fabricante | Descrição | Estoque |
SIS410DNT1GE3 |
VISHAY SILICONIX |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
178500 |
| Nº de peças | Fabricante | Descrição | Estoque |
SIS410DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
3000 |
| Nº de peças | Fabricante | Descrição | Estoque |
SIS410DN-T1-GE3 D# 781-SIS410DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 RoHS: Compliant
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6996 |
| Nº de peças | Fabricante | Descrição | Estoque |
SIS410DN-T1-GE3 D# XSKDRABV0060028 |
Vishay Intertechnologies | 3000 |
| Nº de peças | Fabricante | Descrição | Estoque |
SIS410DN-T1-GE3 D# 38AH2337 |
Vishay Intertechnologies |
N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: TAPE & REEL - FULL
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0 |
| Nº de peças | Fabricante | Descrição | Estoque |
SIS410DN-T1-GE3 D# NS-SIS410DN-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
215274 |
| Nº de peças | Fabricante | Descrição | Estoque |
SIS410DNT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
18250 |
| Nº de peças | Fabricante | Descrição | Estoque |
SIS410DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
3015 |
| Nº de peças | Fabricante | Descrição | Estoque |
SIS410DN-T1-GE3 |
Vishay Huntington | 25 |
| Nº de peças | Fabricante | Descrição | Estoque |
SIS410DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 pbFree: Pb-Free
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0 |
| Nº de peças | Fabricante | Descrição | Estoque |
SIS410DN-T1-GE3 D# 53452823 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 22A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R RoHS: Compliant
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0 |
| Nº de peças | Fabricante | Descrição | Estoque |
SIS410DN-T1-GE3 D# 1779235 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N-CH, 20V, 35A, POWERPAK8 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
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216 |
O compromisso da Heisener com a qualidade moldou nossos processos de fornecimento, teste, expedição e cada passo intermediário. Essa base é subjacente a cada componente que vendemos.
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