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SIR406DP-T1-GE3

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SIR406DP-T1-GE3

Apenas para referência

Nº de peças SIR406DP-T1-GE3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8
Ficha técnica

SIR406DP-T1-GE3 Ficha técnica

pacote PowerPAK? SO-8
ECAD
Em estoque 729.000 piece(s)
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Especificações do SIR406DP-T1-GE3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacotePowerPAK? SO-8
ECAD
SeriesTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C40A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs50nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds2083pF @ 10V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)5W (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.8 mOhm @ 15A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do FornecedorPowerPAK? SO-8
Pacote / casoPowerPAK? SO-8

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SIR406DP-T1-GE3 Packaging

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Sealing
Packing
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SIR406DP-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SIR406DP-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SIR406DP-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SIR406DP-T1-GE3?
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    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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N-CH POWERPAK SO-8 BWL 25V 3.8MOHM@10V - Tape and Reel

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