Name: SIJ458DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIJ458DP-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (164 reviews)

SIJ458DP-T1-GE3

Apenas para referência

Nº de peças	SIJ458DP-T1-GE3
Fabricante	Vishay Siliconix
Descrição	MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Ficha técnica	SIJ458DP-T1-GE3 Ficha técnica
pacote	PowerPAK? SO-8
ECAD
Em estoque	36.000 piece(s)
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Especificações do SIJ458DP-T1-GE3

Fabricante	Vishay Siliconix
Categoria	Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote	PowerPAK? SO-8
ECAD
Series	TrenchFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	60A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	122nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4810pF @ 15V
Vgs (máx.)	±20V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	5W (Ta), 69.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2 mOhm @ 20A, 10V
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PowerPAK? SO-8
Pacote / caso	PowerPAK? SO-8

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SIJ458DP-T1-GE3 Packaging

SIJ458DP-T1-GE3 FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D# 1858990

Vishay Intertechnologies

MOSFET,N CH,DIODE,30V,60A,PPAKSO8L

RoHS: Compliant

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Container: Each

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