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SIA444DJT-T1-GE3

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SIA444DJT-T1-GE3

Apenas para referência

Nº de peças SIA444DJT-T1-GE3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET N-CH 30V 12A SC-70
Ficha técnica

SIA444DJT-T1-GE3 Ficha técnica

pacote PowerPAK? SC-70-6
ECAD
Em estoque 360.012 piece(s)
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Especificações do SIA444DJT-T1-GE3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacotePowerPAK? SC-70-6
ECAD
SeriesTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C12A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds560pF @ 15V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)3.5W (Ta), 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs17 mOhm @ 7.4A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do FornecedorPowerPAK? SC-70-6 Single
Pacote / casoPowerPAK? SC-70-6

SIA444DJT-T1-GE3 folha de dados

SIA444DJT-T1-GE3 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

SIA444DJT-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SIA444DJT-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SIA444DJT-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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    (1)Inform us within 90 days
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Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

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Vishay Siliconix

MOSFET,N CH,DIODE,30V,12A,SC70 PPAK

2055
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D# SIA444DJT-T1-GE3TR-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6

0
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

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VBsemi Electronics Co Ltd

In stock shipping within 2days

17845
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D# 1858980

Vishay Intertechnologies

MOSFET,N CH,DIODE,30V,12A,SC70 PPAK

RoHS: Compliant
Min Qty: 5
Container: Each
0
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OEM/CM Immediate delivery

3190
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

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