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SI9410BDY-T1-GE3

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SI9410BDY-T1-GE3

Apenas para referência

Nº de peças SI9410BDY-T1-GE3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET N-CH 30V 6.2A 8SOIC
Ficha técnica

SI9410BDY-T1-GE3 Ficha técnica

pacote 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Em estoque 14.448 piece(s)
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Especificações do SI9410BDY-T1-GE3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SeriesTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C6.2A (Ta)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs23nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs24 mOhm @ 8.1A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor8-SO
Pacote / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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SI9410BDY-T1-GE3 Packaging

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Packing
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D# V36:1790_14141481

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Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 8-Pin SOIC N T/R

RoHS: Compliant
0
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Vishay Siliconix

MOSFET, N CH, 30V, 8.1A , SOIC

43
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

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D# SI9410BDY-T1-GE3-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 6.2A 8SO

0
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Vishay Intertechnologies

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

15113
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D# NS-SI9410BDY-T1-GE3

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OEM/CM ONLY

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