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SI8473EDB-T1-E1

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Apenas para referência

Nº de peças SI8473EDB-T1-E1
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
Ficha técnica

SI8473EDB-T1-E1 Ficha técnica

pacote 4-XFBGA, CSPBGA
ECAD
Em estoque 3.968 piece(s)
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Especificações do SI8473EDB-T1-E1

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote4-XFBGA, CSPBGA
ECAD
SeriesTrenchFET?
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C-
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (máx.)±12V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs41 mOhm @ 1A, 4.5V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor4-Microfoot
Pacote / caso4-XFBGA, CSPBGA

SI8473EDB-T1-E1 folha de dados

SI8473EDB-T1-E1 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

SI8473EDB-T1-E1 FAQ

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    (1)Inform us within 90 days
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P CHANNEL MOSFET, -20V, 7.1A

2960
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