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SI7964DP-T1-E3

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SI7964DP-T1-E3

Apenas para referência

Nº de peças SI7964DP-T1-E3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8
Ficha técnica

SI7964DP-T1-E3 Ficha técnica

pacote PowerPAK? SO-8 Dual
ECAD
Em estoque 6.224 piece(s)
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Especificações do SI7964DP-T1-E3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Arranjos
pacotePowerPAK? SO-8 Dual
ECAD
SeriesTrenchFET?
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Recurso FETStandard
Drene para a tensão da fonte (Vdss)60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C6.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs23 mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs65nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Potência - Max1.4W
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote / casoPowerPAK? SO-8 Dual
Pacote de Dispositivo do FornecedorPowerPAK? SO-8 Dual

SI7964DP-T1-E3 folha de dados

SI7964DP-T1-E3 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

SI7964DP-T1-E3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI7964DP-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
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Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

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D# V36:1790_14141465

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin PowerPAK SO T/R

RoHS: Compliant
0
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MOSFET, DUAL N CHANNEL, 60V, 6.1A, POWERPAK SO-8, Transistor Polarity:Dual N Channel, Continuous Drain Current Id:6.1A, Drain Source Voltage Vds:60V, On Resistance Rds(on):0.019ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, No. of Pins:8 , RoHS Compliant: Yes

240
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D# SI7964DP-T1-E3TR-ND

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8

0
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D# 2335089

Vishay Intertechnologies

MOSFET, DUAL N CH, 60V, 6.1A, POWERPAK

RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel
0
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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

24990
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Vishay Siliconix

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9072
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OEM/CM ONLY

3804
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