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SI7942DP-T1-GE3

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SI7942DP-T1-GE3

Apenas para referência

Nº de peças SI7942DP-T1-GE3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8
Ficha técnica

SI7942DP-T1-GE3 Ficha técnica

pacote PowerPAK? SO-8 Dual
ECAD
Em estoque 87.816 piece(s)
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Especificações do SI7942DP-T1-GE3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Arranjos
pacotePowerPAK? SO-8 Dual
ECAD
SeriesTrenchFET?
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Recurso FETLogic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C3.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs49 mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs24nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Potência - Max1.4W
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote / casoPowerPAK? SO-8 Dual
Pacote de Dispositivo do FornecedorPowerPAK? SO-8 Dual

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SI7942DP-T1-GE3 Packaging

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Sealing
Packing
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SI7942DP-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI7942DP-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R

RoHS: Compliant
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Transistor MOSFET Array Dual N-CH 100V 3.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Tape and Reel (Alt: SI7942DP-T1-GE3)

RoHS: Compliant
0
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Transistor MOSFET Array Dual N-CH 100V 3.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R (Alt: SI7942DP-T1-GE3)

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Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8

0
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D# SI7942DP-T1-GE3CT-ND

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8

3397
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Vishay Intertechnologies

DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
3000
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Vishay Intertechnologies

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

10710
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D# 781-SI7942DP-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

RoHS: Compliant
2100
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D# XSFP00000137324

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Si7942DP Series 100 V 3.8 A 49 mOhm Dual N-Channel Mosfet - PowerPAK SO-8

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Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

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MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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