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SI7922DN-T1-GE3

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SI7922DN-T1-GE3

Apenas para referência

Nº de peças SI7922DN-T1-GE3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
Ficha técnica

SI7922DN-T1-GE3 Ficha técnica

pacote PowerPAK? 1212-8 Dual
ECAD
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Especificações do SI7922DN-T1-GE3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Arranjos
pacotePowerPAK? 1212-8 Dual
ECAD
SeriesTrenchFET?
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Recurso FETLogic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C1.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs195 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs8nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Potência - Max1.3W
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote / casoPowerPAK? 1212-8 Dual
Pacote de Dispositivo do FornecedorPowerPAK? 1212-8 Dual

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SI7922DN-T1-GE3 Packaging

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Packing
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SI7922DN-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI7922DN-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI7922DN-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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    (1)Inform us within 90 days
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D# V72:2272_09216412

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Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

RoHS: Compliant
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Transistor MOSFET Array Dual N-CH 100V 1.8A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R - Tape and Reel (Alt: SI7922DN-T1-GE3)

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Dual N-Channel 100 V 0.195 Ohm Surface Mount Power MosFet - PowerPAK-1212-8

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MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8

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pbFree: Yes
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MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

RoHS: Compliant
4699
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Dual N-Channel 100 V 0.195 Ohm Surface Mount Power MosFet - PowerPAK-1212-8

6000
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DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET ROHS COMPLIANT: NO

RoHS: Not Compliant
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Container: TAPE & REEL - FULL
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