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SI7900AEDN-T1-GE3

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SI7900AEDN-T1-GE3

Apenas para referência

Nº de peças SI7900AEDN-T1-GE3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
Ficha técnica

SI7900AEDN-T1-GE3 Ficha técnica

pacote PowerPAK? 1212-8 Dual
ECAD
Em estoque 359.544 piece(s)
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Especificações do SI7900AEDN-T1-GE3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Arranjos
pacotePowerPAK? 1212-8 Dual
ECAD
SeriesTrenchFET?
Tipo FET2 N-Channel (Dual) Common Drain
Recurso FETLogic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs26 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id900mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs16nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Potência - Max1.5W
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote / casoPowerPAK? 1212-8 Dual
Pacote de Dispositivo do FornecedorPowerPAK? 1212-8 Dual

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SI7900AEDN-T1-GE3 Packaging

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Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that SI7900AEDN-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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Vishay Siliconix

SI7900AEDN-T1-GE3 Dual N-channel MOSFET Transistor,6 A,20V,8-Pin PowerPAK 1212

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0
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D# V36:1790_09216404

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

RoHS: Compliant
0
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D# SI7900AEDN-T1-GE3

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Vishay Intertechnologies

3836
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DUAL N-CH 20V (D-S) MOSFET, COMMON DRAIN - Tape and Reel

0
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D# SI7900AEDN-T1-GE3CT-ND

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8

1
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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

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