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SI7888DP-T1-GE3

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SI7888DP-T1-GE3

Apenas para referência

Nº de peças SI7888DP-T1-GE3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8
Ficha técnica

SI7888DP-T1-GE3 Ficha técnica

pacote PowerPAK? SO-8
ECAD
Em estoque 14.376 piece(s)
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Especificações do SI7888DP-T1-GE3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacotePowerPAK? SO-8
ECAD
SeriesTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C9.4A (Ta)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs10.5nC @ 5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (máx.)±12V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs12 mOhm @ 12.4A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do FornecedorPowerPAK? SO-8
Pacote / casoPowerPAK? SO-8

SI7888DP-T1-GE3 folha de dados

SI7888DP-T1-GE3 Packaging

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Sealing
Packing
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SI7888DP-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI7888DP-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI7888DP-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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