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SI7860DP-T1-GE3

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SI7860DP-T1-GE3

Apenas para referência

Nº de peças SI7860DP-T1-GE3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
Ficha técnica

SI7860DP-T1-GE3 Ficha técnica

pacote PowerPAK? SO-8
ECAD
Em estoque 36.732 piece(s)
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Especificações do SI7860DP-T1-GE3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacotePowerPAK? SO-8
ECAD
SeriesTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C11A (Ta)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs18nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs8 mOhm @ 18A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do FornecedorPowerPAK? SO-8
Pacote / casoPowerPAK? SO-8

SI7860DP-T1-GE3 folha de dados

SI7860DP-T1-GE3 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

SI7860DP-T1-GE3 FAQ

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