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SI7842DP-T1-GE3

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SI7842DP-T1-GE3

Apenas para referência

Nº de peças SI7842DP-T1-GE3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8
Ficha técnica

SI7842DP-T1-GE3 Ficha técnica

pacote PowerPAK? SO-8 Dual
ECAD
Em estoque 55.824 piece(s)
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Especificações do SI7842DP-T1-GE3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Arranjos
pacotePowerPAK? SO-8 Dual
ECAD
SeriesLITTLE FOOT?
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Recurso FETLogic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C6.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs22 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Potência - Max1.4W
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote / casoPowerPAK? SO-8 Dual
Pacote de Dispositivo do FornecedorPowerPAK? SO-8 Dual

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SI7842DP-T1-GE3 Packaging

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Packing
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