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SI7726DN-T1-GE3

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SI7726DN-T1-GE3

Apenas para referência

Nº de peças SI7726DN-T1-GE3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
Ficha técnica

SI7726DN-T1-GE3 Ficha técnica

pacote PowerPAK? 1212-8
ECAD
Em estoque 609.132 piece(s)
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Especificações do SI7726DN-T1-GE3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacotePowerPAK? 1212-8
ECAD
SeriesSkyFET?, TrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C35A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.6V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs43nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds1765pF @ 15V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs9.5 mOhm @ 10A, 10V
Temperatura de operação-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do FornecedorPowerPAK? 1212-8
Pacote / casoPowerPAK? 1212-8

SI7726DN-T1-GE3 folha de dados

SI7726DN-T1-GE3 Packaging

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Packing
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Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

RoHS: Compliant
0
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D# SI7726DN-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 30V 14.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R - Tape and Reel (Alt: SI7726DN-T1-GE3)

RoHS: Compliant
0
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1927
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Vishay Siliconix

N-CH 30-V (D-S) MOSFET W/SCHOTTKY - Tape and Reel

0
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D# SI7726DN-T1-GE3TR-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8

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