Name: SI7703EDN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7703EDN-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (102 reviews)

SI7703EDN-T1-GE3

Apenas para referência

Nº de peças	SI7703EDN-T1-GE3
Fabricante	Vishay Siliconix
Descrição	MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8 PPAK
Ficha técnica	SI7703EDN-T1-GE3 Ficha técnica
pacote	PowerPAK? 1212-8
ECAD
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Especificações do SI7703EDN-T1-GE3

Fabricante	Vishay Siliconix
Categoria	Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote	PowerPAK? 1212-8
ECAD
Series	TrenchFET?
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	4.3A (Ta)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 800µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (máx.)	±12V
Recurso FET	Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.)	1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	48 mOhm @ 6.3A, 4.5V
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PowerPAK? 1212-8
Pacote / caso	PowerPAK? 1212-8

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SI7703EDN-T1-GE3 FAQ

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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MOSFET, P CH, -20V, -4.3A, POWERPAK 1212

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