Name: SI7682DP-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7682DP-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 5 (188 reviews)

SI7682DP-T1-E3

Apenas para referência

Nº de peças	SI7682DP-T1-E3
Fabricante	Vishay Siliconix
Descrição	MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
Ficha técnica	SI7682DP-T1-E3 Ficha técnica
pacote	PowerPAK? SO-8
ECAD
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Especificações do SI7682DP-T1-E3

Fabricante	Vishay Siliconix
Categoria	Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote	PowerPAK? SO-8
ECAD
Series	TrenchFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	20A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1595pF @ 15V
Vgs (máx.)	±20V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	5W (Ta), 27.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9 mOhm @ 20A, 10V
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PowerPAK? SO-8
Pacote / caso	PowerPAK? SO-8

SI7682DP-T1-E3 folha de dados

SI7682DP-T1-E3 Packaging

SI7682DP-T1-E3 FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Vishay Intertechnologies

Single N-Channel 30 V 0.009 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK SO-8

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Vishay Siliconix

Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

RoHS: Compliant

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Descrição

Estoque

SI7682DP-T1-E3

D# SI7682DP-T1-E3-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

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D# SI7682DP-T1-E3

Vishay Siliconix

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Vishay Intertechnologies

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