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SI7450DP-T1-E3

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SI7450DP-T1-E3

Apenas para referência

Nº de peças SI7450DP-T1-E3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
Ficha técnica

SI7450DP-T1-E3 Ficha técnica

pacote PowerPAK? SO-8
ECAD
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Especificações do SI7450DP-T1-E3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacotePowerPAK? SO-8
ECAD
SeriesTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C3.2A (Ta)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs42nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs80 mOhm @ 4A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do FornecedorPowerPAK? SO-8
Pacote / casoPowerPAK? SO-8

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Sealing
Packing
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SI7450DP-T1-E3 FAQ

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D# V72:2272_07431572

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Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A Automotive 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

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Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Tape and Reel (Alt: SI7450DP-T1-E3)

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Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R (Alt: SI7450DP-T1-E3)

RoHS: Compliant
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Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R (Alt: SI7450DP-T1-E3)

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200V N-CH 0.1 OHM @ 10VGS

0
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PowerPAK-SO-8 MOSFET RoHS

2133
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MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8

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12000
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N CH MOSFET, FULL REEL, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:200V, Continuous Drain Current Id:5.3A, On Resistance Rds(on):0.08ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, No. of Pins:8PinsRoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: TAPE & REEL - FULL
0
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