Name: SI7411DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7411DN-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (131 reviews)

SI7411DN-T1-GE3

Apenas para referência

Nº de peças	SI7411DN-T1-GE3
Fabricante	Vishay Siliconix
Descrição	MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8
Ficha técnica	SI7411DN-T1-GE3 Ficha técnica
pacote	PowerPAK? 1212-8
ECAD
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Especificações do SI7411DN-T1-GE3

Fabricante	Vishay Siliconix
Categoria	Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote	PowerPAK? 1212-8
ECAD
Series	TrenchFET?
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	7.5A (Ta)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 300µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	41nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (máx.)	±8V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	19 mOhm @ 11.4A, 4.5V
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PowerPAK? 1212-8
Pacote / caso	PowerPAK? 1212-8

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SI7411DN-T1-GE3 FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the SI7411DN-T1-GE3 we delivered, we will accept the replacement or return of the SI7411DN-T1-GE3 only when all of the below conditions are fulfilled:

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Vishay Intertechnologies

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7.5A I(D), 20V, 0.019OHM, 1-ELEMENT, P-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET

3920

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Vishay Siliconix

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